半导体技术
一、发现时间与获得诺奖时间
1.晶体管：1947——1956
2.集成电路：1958——2000
3.隧道效应：1958——1973
4.非晶半导体电子理论：1960——1977
5.激光二极管：1963——2000
6.快速晶体管：1963——2000
7.光纤通信：1966——2009
8.CCD图像传感器：1969——2009
9.量子霍尔效应：1980——1985
10.分数量子霍尔效应：1982——1998
11.蓝光LED：1993——2014
二．技术源头及底层创新
材料——结构——器件——电路——架构——算法——软件——应用。
三．现行的半导体材料及其替代
现行材料是硅，研究替代材料锗二十多年，但未成功。
四．光电子器件
基于光电效应发展起来了光和电子的转换，而光电子器件则是在微电子技术的基础上发展起来的实现光和电相互转换的器件。
利用电-光子转换效应制成的各种功能器件。光电子器件的设计原理是依据外场对导波光传播方式的改变，它也有别于早期人们袭用的光电器件。光电子器件是光电子技术的关键和核心部件，是现代光电技术与微电子技术的前沿研究领域，是信息技术的重要组成部分。
光电子器件应用范围十分广阔，如家用摄像机、手机相机、夜视眼镜、微光摄像机、光电瞄具、红外探测、红外制导、红外遥感、指纹探测、导弹探测、医学检测和透视等等，从军用产品扩展到民用产品，其使用范围难以胜数，是一个巨大的产业。
